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OTSUKA廣州代理OTSUKA 光譜橢偏儀 FE-5000S 大塚電子

產(chǎn)品名稱：OTSUKA廣州代理OTSUKA 光譜橢偏儀 FE-5000S 大塚電子

產(chǎn)品型號：OTSUKAOTSUKA FE-5000S

生產(chǎn)廠商：OTSUKA大塚電子

產(chǎn)品數(shù)量：不限

產(chǎn)品單價：電議

詳細(xì)介紹

OTSUKA大塚電子廣州代理,大塚電子廣州代,OTSUKA大塚電子廣州代理,藤野貿(mào)易（廣州）有限公司,OTSUKA大塚電子代理商.
光譜橢偏儀 FE-5000S 日本OTSUKA大塚電子光譜橢偏儀FE-5000日本OTSUKA大塚電子光譜橢偏儀FE-5000日本OTSUKA大塚電子光譜橢偏儀FE-5000日本OTSUKA大塚電子光譜橢偏儀FE-5000日本OTSUKA大塚電子光譜橢偏儀FE-5000日本OTSUKA大塚電子
特　長
紫外可視（250～800nm）の波長領(lǐng)域でのエリプソパラメータ測定が可能ナノメータオーダーの多層薄膜の膜厚解析が可能 400ch以上のマルチチャンネル分光法によるエリプソスペクトルの迅速測定が可能反射角度可変測定により、薄膜の詳細(xì)な解析に対応光學(xué)定數(shù)のデータベース化およびレシピ登録機(jī)能の追加により操作性がアップ層膜フィッティング解析による光學(xué)定數(shù)測定による膜厚?膜質(zhì)管理が可能
測定項(xiàng)目
エリプソパラメータ（tanψ、cosΔ）測定光學(xué)定數(shù) ( n ：屈折率 , k ：消衰係數(shù) ) 解析膜厚解析
用　途
半導(dǎo)體ウェハー
ゲート酸化薄膜，窒化膜
SiO 2 ，Si x O y ，SiN，SiON，SiN x ，Al 2 O 3 ，SiN x O y ，poly-Si，ZnSe， BPSG，TiN
レジストの光學(xué)定數(shù)(波長分散) 化合物半導(dǎo)體
Al x Ga (1-x) As 多層膜，アモルファスシリコン FPD
配向膜
プラズマディスプレイ用ITO，MgOなど各種新素材
DLC(Diamond Like Carbon)，伝導(dǎo)用薄膜，磁気ヘッド薄膜光學(xué)薄膜
TiO 2 ，SiO 2 ，多層膜，反射防止膜，反射膜リソグラフィー分野
g線(436nm)，h線(405nm)，i線(365nm)，KrF(248nm)などの各波長におけるn，k評価
原　理試料にs波とp波を含む直線偏光を入射し、その反射光の楕円偏光を測定します。s波とp波は位相と振幅が獨(dú)立に変化して、試料に依存した2種類の偏光の変換パラメータであるp波とs波の反射率の比tanψおよび位相差Δが得られます。
仕　様
型式 FE-5000S FE-5000 測定サンプル反射測定サンプルサンプルサイズ 100x100mm 200x200mm 測定方式回転検光子法 *1 測定膜厚範(fàn)囲(nd) 0.1nm～入射（反射）角度範(fàn)囲 45～90° 45～90° 入射（反射）角度駆動方式自動サインバー駆動方式入射スポット徑 *2 約φ2.0 約φ1.2sup *3 tanψ測定正確さ ±0.01以下 cosΔ測定正確さ ±0.01以下膜厚の繰り返し再現(xiàn)性 0.01%以下 *4 測定波長範(fàn)囲 *5 250～800nm 300～800nm 分光検出器ポリクロメータ（PDA、CCD）測定用光源高安定キセノンランプ *6 ステージ駆動方式手動手動/自動ローダ対応不可可寸法、重量 650（W)×400（D)×560（H）mm
約50kg 1300（W)×900（D)×1750（H）mm
約24kg *7 　ソフトウェア解析小二乗薄膜解析（屈折率モデル関數(shù)、Cauchy分散式モデル式、nk-Cauchy分散式モデル解析など）
理論式解析（バルク表面nk解析、角度依存同時解析）
*1　偏光子駆動可能、不感帯に有効な位相差板著脫可能です。
*2　短軸?角度により異なります。
*3　微小スポット対応（オプション）
*4　VLSIスタンダードSiO2膜（100nm）を用いた場合の値です。
*5　この波長範(fàn)囲內(nèi)で選択可能です。
*6　測定波長により光源が異なります。
*7　自動ステージ選択時の値です。

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地址：廣州市天河區(qū)中山大道中138號匯勤商業(yè)大廈715室
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郵編：510000
郵箱：zhf#fujinotrade.com
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